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IRLR024N原装新货 IR全新MOS管图片

IRLR024N原装新货 IR全新MOS管

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信息简介:IRLR024N原装新货 IR全新MOS管

详细信息:
“IRLR024N原装新货 IR全新MOS管”参数说明
是否有现货: 类型: 耗尽型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: SMD(SO)/表面封装
用途: MOS-ARR/陈列组件 导电方式: 增强型
型号: IRLR024N 规格: 原装
商标: IR 包装: 卷带
“IRLR024N原装新货 IR全新MOS管”详细介绍

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规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 10A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
信息编辑:成都宇集电子有限公司  字号:
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