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功率管IRFP250N现货热卖 IR原装正品IC

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信息简介:功率管IRFP250N现货热卖 IR原装正品IC

详细信息:
“功率管IRFP250N现货热卖 IR原装正品IC”参数说明
是否有现货: 封装: TO247
功能结构: 模拟集成电路 制作工艺: 半导体集成电路
导电类型: 单极型 集成度高低: 大规模集成电路
应用领域: 标准通用 型号: IRFP250N
规格: 原装 商标: IR
包装: 管件 产量: 10000
“功率管IRFP250N现货热卖 IR原装正品IC”详细介绍

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250?A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2159pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 214W(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 75 毫欧 @ 18A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
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